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甩开英特尔!三星投产第二代10nm技术

据外媒报道,三星本周宣布,将定于今年晚些时候投产第二代10nm芯片生产工艺。目前,三星已经在美国开始向多个半导体公司推广自家的14nm工艺。

甩开英特尔!三星投产第二代10nm技术 三星投产第二代10nm技术(图片来自kkj)

报道称,所谓的第二代10nm工艺,有媒体认为是14nm FinFET+。其实目前,14nm FinFET+已经导入了骁龙820、三星Exynos 8890等产品,三星希望可以争取到更多半导体客户看到新制程的优越性。

因此,三星本周在美国硅谷会晤多个半导体公司,向他们推介自己的14nm工艺。以此同时,三星在内存DRAM颗粒上也全球率先完成了10nm级的布局,同时本月还将量产18nm工艺产品。

至于另外两家对手在制程工艺方面也进展很快,其中台积电也在本周表示,预计今年三、四季度会量产10nm工艺。目前已有超过20家客户正在洽谈7nm工艺代工事宜,预计2017年有15家客户提交流片。值得一提的是,苹果将在下半年发布的iPhone 7所搭载的A10芯片,有可能就能用上台积电10nm工艺。

英特尔日前则表示,公司将在2017年下半年推出10纳米CPU。不过英特尔的确面临一些严重的问题,因为CPU的制程节点缩小了,良率不高一直困扰CPU的量产。在之前的14纳米Broadwell架构上,英特尔也曾面临很大困难,结果导致桌面和移动处理器上市时间推迟了几个月。

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